ブリヂストンから、高性能で優れたコストパフォーマンスのダミーウェハのご提案です。形状安定性に優れており、耐食性、耐熱性で長期リサイクル仕様が可能。
様々なアプリケーションに対応可能な高純度SiCダミーウェハです。

プロセスチャンバのコンディションを整える際、ヒーターステージを保護するプレート。
平坦度、形状安定性に優れており、各種の吸着タイプヒーターにおきましても安定的に使用できます。耐食性、耐熱性、パーティクルにも優れており、長期リサイクル使用が可能です。PureBeta-DW同様、超高純度SiC焼結体を使用しており、不純物などの心配もございません。

ブリヂストンの超高純度SiC素材とその接合技術を応用し、Si半導体デバイス製造のほぼ全温度領域をカバーする画期的な基盤加熱ヒーターユニットを実現しました（構造材は高純度石英）。独自の熱解析システムによりお客様の装置に合わせたカスタム設計が可能となり枚葉式熱処理工程（アニール・各種成膜等）の可能性を大きく広げます。

定評あるブリヂストン超高純度SiCヒーターユニットをベースに専用設計の高効率チャンバーと組み合わせることにより、抵抗加熱式ヒーターのメリットを活かしつつランプ加熱に迫る急速昇温を実現しました。
真空・各種雰囲気の環境下で従来ヒーターではなしえなかった基盤加熱プロセスが可能となりました。

半導体基板加熱用等ハイエンドユースとして定評あるブリヂストン超高純度・高密度SiCヒーターを昇温特性・耐久性はそのままに、コストを抑え一般用途へと可能性をさらに広げました。
高温腐食性雰囲気下等の過酷な環境下で従来ヒーターではなし得なかった圧倒的なパフォーマンスを発揮します。

高導電性を利用して室温から1700℃まで急速昇温が可能で高耐久性と併せて大気中および反応性のガス雰囲気下での加熱に威力を発揮します。

青・白色LED等GaN系デバイスの製造用治具として最適のソリューションを提供します。
全て超高純度SiCで構成されたバルク体で、極めて高い耐久性と信頼性を誇ります。

高純度、高密度を誇るブリヂストンSiCピュアベータをさらに高純度コートモデル。
高温アニール装置やSIMOX、EPI装置など1,200℃以上の超高温条件下において求められる最高級の治具材料特性を誇ります。
次世代ウェハの製造過程においてその真価を発揮します。

耐プラズマ性に優れて、高耐久、長寿命です。同時にパーティクルの低減効果があります。

光学膜としては、レーザー光導波用Si02膜形成時に利用できます。保護膜としては、各種機械的用途として利用できます。また、高導電性を利用したDCスパッタは、効率アップにきわめて有効です。