先端機能材

PureBeta｜SiC単結晶ウェハ 高純度炭化ケイ素基板製品用途／製品仕様

SiC単結晶ウェハは次世代半導体デバイスとして優れた特性を誇り、環境負荷低減に貢献いたします。

製品仕様

6H導電タイプ

  2 inch 3 inch
Diameter 50.8 ± 0.25mm 76.2 ± 0.25mm
Polytype 6H 6H
Conductivity Conducting, n-Type Conducting, n-Type
Face Orientation {0001} ± 0.5° {0001} ± 0.5°
Thickness 400 ± 25μm 375 ± 25μm
Primary Flat Length 15.8 ± 1.6mm 22.0 ± 2.0mm
Secondary Flat Length 8.0 ± 1.6mm 11.0 ± 1. 5mm
Primary Flat Orientation <11-20> ± 1° <11-20> ± 2°
Secondary Flat Orientation 90°CW from Primary Flat ± 5° 90°CW from Primary Flat ± 5°
Edge Treatment Conforming to SEMI Std. Conforming to SEMI Std.
Front Surface（Si） Finish Epi-Ready （CMP） Epi-Ready （CMP）
Back Surface Finish Optical Polish Optical Polish
Laser Mark Location Carbon Face, Conforming to SEMI Std. Carbon Face, Conforming to SEMI Std.
Warp <25μm <40μm
Resistivity 0.06 ～ 0.10Ω・cm 0.06 ～ 0.10Ω・cm
Edge Exclusion 2mm 2mm
Micropipe Density <30cm-2 <30cm-2
Packaging Single Wafer Container Single Wafer Container

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6H半絶縁タイプ

  3 inch 100 mm
Diameter 76.2 ± 0.25 mm 100.0 ± 0.50 mm
Polytype 6H 6H
Conductivity Semi-Insulating Semi-Insulating
Face Orientation {0001} ± 0.5° {0001} ± 0.5°
Thickness 375 ± 25μm 500 ± 25μm
Primary Flat Length 22.0 ± 2.0 mm 32.5 ± 2.0 mm
Secondary Flat Length 11.0 ± 1.5 mm 18.0 ± 2.0 mm
Primary Flat Orientation <11-20> ± 1° <11-20> ± 2°
Secondary Flat Orientation 90°CW from Primary Flat ± 5° 90°CW from Primary Flat ± 5°
Edge Treatment Conforming to SEMI Std. Conforming to SEMI Std.
Front Surface（Si） Finish Epi-Ready （CMP） Epi-Ready （CMP）
Back Surface Finish Optical Polish Optical Polish
Laser Mark Location Carbon Face, Conforming to SEMI Std. Carbon Face, Conforming to SEMI Std.
Warp <40μm <40μm
Resistivity >105Ω・cm >105Ω・cm
Edge Exclusion 2mm 2mm
Micropipe Density <30cm-2 <30cm-2
Packaging Single Wafer Container Single Wafer Container

※他の仕様についてはお問い合わせください

4H導電タイプ

  3 inch
Diameter 76.2 ± 0.25 mm
Polytype 4H
Conductivity Conducting, n-Type
Face Orientation 4.0°toward <11-20> ± 0.5°
Thickness 350 ± 25μm
Primary Flat Length 22.0 ± 2.0 mm
Secondary Flat Length 11.0 ± 1.5 mm
Primary Flat Orientation <11-20> ± 2°
Secondary Flat Orientation 90°CW from Primary Flat ± 5°
Edge Treatment Conforming to SEMI Std.
Front Surface Finish Epi-Ready （CMP）
Back Surface Finish Optical Polish
Laser Mark Location Carbon Face, Conforming to SEMI Std.
Warp <40μm
Resistivity <0.03Ω・cm
Edge Exclusion 2mm
Micropipe Density [<5cm2 / <30cm2 / <30cm2]
Poly-type Area [<5％ / <5％ / <20％]
Packaging Single Wafer Container

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物性値

熱伝導率（レーザーフラッシュ法、RT） 309 W/m・K（導電タイプ）
マイクロパイプ密度（非破壊光学法） 10～100/cm2
バルク純度（GD-MS） Al <0.05 ppm
Fe <0.05 ppm
V <0.05 ppm

※上記は代表値であり、保証値ではありません。

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SiC単結晶ウェハ高純度炭化ケイ素基板